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模拟MEMS厚胶物理光刻工艺,采用物理仿真算法与物理模型精细反应SU8等厚胶光刻效果。 ◆ 支持影像成型、曝光、后烘、显影四大步骤模拟; ◆ 精细的曝光前后光照模型; ◆ 支持多层mask文件版图设置; ◆ 支持三维显示结果精细测量。
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精准的三维工艺物理模拟工具。 ◆ 模拟工艺流程生成的器件的三维模型,动画形式显示工艺过程; ◆ 支持绝大多数MEMS工艺仿真,包括:各向同性/异性淀积,各向同性/异性刻蚀,湿法刻蚀,键合,光刻以及CMOS工艺中的氧化/注入等; ◆ 高精度模式和快速模式两种仿真模式可选; ◆ Si DRIE和湿法各向异性刻蚀算法源自成熟的单工艺仿真算法模块,历经丰富的实践验证; ◆ 支持III-V族半导体(InP)等多种化合物半导体物理仿真工艺. ◆ 支持spray准各向同性湿法刻蚀工艺 ◆ 基于GPU大规模并行计算 ◆ 采用体素绘制技术,支持旋转、平移、缩放、剖面等功能 ◆ 支持按工艺分层显示,方便观察器件内部结构信息; ◆ 支持PPT、AVI、JPG等多种格式输出。
基于三维体素操作的强大的工艺演示工具。 ◆ 动画形式显示工艺过程; ◆ 模拟任意工艺步骤后器件的三维模型; ◆ 支持绝大多数 MEMS 工艺仿真,包括:各向同性/异性淀积,各向同性/异性刻蚀,湿法刻蚀,键合,光刻以及 CMOS 工艺中的氧化/注入等; ◆ 采用体素图形学技术,更加逼真的演示三维复杂器件结构; ◆ 采用体绘技术,通过旋转、平移、缩放、剖面等功能用户可以查看器件内部信息; ◆ 利用几何算法更加逼真模拟淀积和刻蚀过程;
先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和 TMAH 各向异性蚀刻仿真结果,还可用于复杂版图及长时间蚀刻。 ◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻; ◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻; ◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术; ◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响; ◆ TMAH 和 KOH 蚀刻速率数据库,用户也可自定义蚀刻速率; ◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响; ◆ 三维图形和横截面可视; ◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度;
◆ 基于原子模型的精确湿法刻蚀工艺模拟; ◆ 集成 DRIE 和多次掩膜复合工艺功能; ◆ 基于八叉树和并行计算的元胞自动机及动力学蒙特卡罗模型; ◆ 完备的刻蚀工艺数据库,面向用户的开放的接口; ◆ 可定义和切割任意高指数晶面; ◆ 精确描述腐蚀表面形貌; ◆ 兼容 IntelliMask 版图文件和 Bmp 掩膜文件; ◆ 输出 FEM 网格数据; ◆ 基于 GPU 大规模并行计算的 IntelliEtchG; ◆ Wagon Wheel Analyzer 硅刻蚀速率提取工具; ◆ Etch Rate Visualizer / CCA calibrator 硅刻蚀速率可视化及校准工具; ◆ Wagon Wheel Analyzer II 石英刻蚀速率提取工具;
结合材料、版图创建器件的工艺流程,并可输出到FabSim模块生成三维虚拟模型,输出到TEM模块进行分析。 ◆ 完整的MEMS工艺流程,包括沉积、光刻、刻蚀、键合、电镀等工艺。用户可添加自有工艺; ◆ 支持标准MEMS工艺,如MUMPS, SCREAM, SUMMIT, LIGA, Bosch Surface Micromachining等。 ◆ 用户可创建自有工艺; ◆ 图形化的硅和石英等材料的各向异性湿法刻蚀速率展示与调节工具 ◆ 支持SOI材料,支持电阻率与方块电阻参数同步; ◆ 支持输出Excel格式工艺流程单 ◆ 结合FabSim模拟工艺流程生成的器件的三维模型; ◆ 结合TEM分析对器件的影响,实现更精确的多物理场模拟;
当前最全面的薄膜材料数据库和工艺优化工具,提供工艺参数和器件特性间的重要联系。 ◆ 包含多达70余种、基于真实工艺过程得到的 MEMS 常用薄膜材料属性,使模拟结果更加精确; ◆ 允许用户添加和自定义材料; ◆ 通过 IntelliFab 模块直接将材料属性输出到 TEM 分析模块; ◆ 优化工艺;
模拟 RIE/ICP(Bosch Process) 工艺,清晰反映加工工艺如何影响产品成型。 ◆ 可调节侧边的圆齿、粗糙度及周期; ◆ RIE 和 DRIE 的 lag 效应; ◆ 模拟最终实体形貌、侧面角度; ◆ 考虑掩膜影响; ◆ 为特定截面创建工艺参数可调整的结构; ◆ 支持 Footing 效应模拟; ◆ 支持工艺参数计算; ◆ DRIE 刻蚀速率及深宽比校准工具;
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